Микросхема КР159НТ1Д
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Содержание драгоценных металлов в микросхеме: КР159НТ1Д
Золото: 0,0002099
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Формуляр
Микросхема КР159НТ1Д описание
Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 г и типа 201 14-1, масса не более 1 г.
Технические характеристики микросхемы КР159НТ1Д
Разность напряжений эмиттер-база транзисторов;
К159НТ1Г, КР159НТ1Г, К159НТ1Д, КР159НТ1Д, К159НТ1Е, КР159НТ1Е <15 мВ
Прямое падение напряжения между эмиттером и базой (1,= 1мА) … 0,55 ..0,75 В
Обратный ток коллектор-база < 200 нА
Обратный ток эмиттер-база . < 500 нА
Назначение выводов. 1, 8 — свободные; 2 — коллектор транзистора VT1 3 — база транзистора VT1 4 — эмиттер транзистора VT1; 5 — эмиттер транзистора VT2, 6 — база транзистора VT2, 7—коллектор транзистора VT2
Структура обозначения советских микросхем
Советские (а также российские) микросхемы обозначаются стандартным кодом, согласно ГОСТ РВ 5901-005-2010 (предыдущие — ОСТ 11073915-2000, 11073915-80), состоящим из четырех элементов:
Первый элемент состоит из цифры и означает конструктивно-технологическую группу:
1,5,6 — обозначают полупроводниковые ИМС
2,4,8 — обозначают гибридные ИМС
7 — обозначает бескорпусную полупроводниковую ИМС
3 — прочие ИМС
Второй элемент состоит из двух цифр, обозначающих порядковый номер разработки.
Третий элемент содержит две буквы русского алфавита, определяющие функциональное назначение ИМС (см. таблицу ниже).
Четвёртый элемент — порядковый номер одноименных по функциональному признаку ИМС в одной серии. Состоит из одной или двух цифр.
За четвёртым элементом может находиться буква (или цифра через дефис), указывающая деление данного типа ИМС на группы, различные по одному или нескольким параметрам. В первых микросхемах в пластиковых корпусах после четвертого элемента могла ставиться буква «П».1
Перед полным условным обозначением ИМС, предназначенной для аппаратуры широкого применения, ставится буква «К». При необходимости указания типа корпуса ИМС после буквы «К» добавляется буква:2
Р — для пластмассовых корпусов типа «2»;
М — для керамических, металло-керамических и металло-стеклянных корпусов типа «2»;
Е — для металло-полимерного корпуса типа «2»;
А — для пластмассового корпуса типа «4»;
И — для керамико-стеклянного корпуса типа «4»;
Э — экспортный вариант (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм);
Н — кристаллоноситель.
Примечание. На микросхемах, разработанных до 1974 года, третий элемент (две буквы) стоит сразу после первой цифры серии, при этом буквенные обозначения могут отличаться от принятых по отраслевому стандарту 1980 года.